A fázisváltó memóriát sokan a flash chipek utódjának tekintik, oly annyira, hogy sokan biztosak benne, hogy idővel e technológia segítségével fogják leváltani a jelenlegi SSD meghajtókat és akár a RAM-okat is. Persze manapság még az SSD-k sem számítanak általánosan elterjedt megoldásnak – igaz, a tavalyi thaiföldi áradások miatt megugró merevlemez-árak és a notebookok valamint a táblagépek terjedése sokat javítottak a meghajtók piaci helyzetén.
A fázisváltó memória (PCM) működési elve az felhasznált anyag (ami lehet üveg, germanium, antimonium vagy tellurium is) fizikai állapotának megváltoztatásán alapszik; elektromos áram hatására az anyag szerkezete kristályos vagy amorf formát ölthet, amely megváltoztatja vezetőképességet, ami lehetővé teszi, hogy bitek értékét tároljuk. PCM alapú memória már ma is több készülékben működik, azonban a technológiával jelenleg csak (relatív) lassú és alacsony tárolókapacitású, jellemzően mobiltelefonba való chipeket készítenek.
A Cambridge-i egyetem tudósai most a sebesség terén értek el áttörést, a vezérléshez használt feszültségközlés módjának megváltoztatásával sikerült elérni, hogy az írási művelet mindössze 0,5 nanoszekundumig tartson (ez a másodperc kétmilliomod része), amely a jelenlegi SSD-kben lévő chipekhez képest akár százszoros teljesítménybeli növekedést is eredményezhet. A kísérlet során persze a chip laboratóriumi körülmények között működött, így a technológia gyakorlati alkalmazása valószínűleg még legalább évekre van.
