A Toshiba Corporation a múlt hét végén jelentette be, hogy elkészítette az első 16 lapkából összeállított NAND flash memóriáját, ehhez pedig a Through Silicon Via (TSV) technológiát használta. Amint azt a technológia neve is mutatja, vele az egymás tetejére helyezett szilíciumlapkák között teremt kapcsolatot, pontosan olyan felépítéssel, mint a hagyományos áramkörökben a via (a rétegek közötti átvezető). Az így egymásra tett lapkák egyetlen tokba integrálhatók, ezért adott méretek között nagyobb kapacitású NAND tároló, azaz nagyobb SSD készíthető.
Az eddig alkalmazott megoldásokban a lapkákat a tokon belül hegesztett vezetékekkel kötötték össze. A korrektség kedvéért annyit meg kell említenünk, hogy hasonló technológiát – még ha nem is 16 réteggel – a Samsung (3D NAND), a Hynix és a Micron is alkalmaz. A Toshiba így készített tárolóinak adatátviteli sebessége meghaladja az 1 Gbps sebességet 1,8 V külső, illetve 1,2 V belső tápfeszültség mellett, így a fogyasztás jelentős mértékben (2*50%-kal) csökken. A prototípust a Flash Memory Summit 2015 kiállításon mutatja be, amely augusztus 11-13 között, Santa Clarában kerül megrendezésre, először pedig a high-end üzleti célra készült SSD-kben lesz majd elérhető.
