A két cég megállapodása szerint a koreaiak üzemében készülnek majd a 2017 első felére várt telefonokban helyet foglaló Snapdragon 835 rendszerchipek.
Az új technológia (a Snapdragon 820/821 14 nm-en készült) a Qualcomm szerint 30 százalékkal takarékosabban bánik a szilíciummal, és 27 százalékkal nagyobb órajel hozható ki belőle (vagy 40 százalékkal takarékosabban működhet ugyanakkora sebesség mellett). Újdonság még a QuickCharge 4.0, amely a Qualcomm állítása alapján 30 százalékkal nagyobb hatásfokot és 20 százalékkal gyorsabb töltést kínál a kétcsatornás eljárásnak köszönhetően – ezen kívül kompatibilis lesz az USB-C és USB-PD-vel is, ami különösen azért lehet fontos, mert a Google a hírek szerint szeretne kicsit rendet vágni a burjánzásnak indult egyedi töltési eljárások között, amelyek lassan azt eredményezik, hogy a régi telefonos időkhöz hasonlóan most is mindenkinek hordoznia kell a saját töltőjét (a nem szabványos kábelek és töltők pedig a készülékek épségét is veszélyeztetik.
