- 2011. május 13., 11:55
A DDR2 technológiát használó modulok a jelenleg elterjedt variánsoknál akár tízszer gyorsabbak lehetnek.
Hirdetés

A Samsung bejelentette, hogy 20 nm-es gyártástechnológiát használva megkezdte a 64 Gbites DDR2 technológiát támogató MLC NAND lapkák gyártását, amelyek segítségével az eddiginél sokkal gyorsabb flashmemória alapú meghajtók építhetők. A darabonként 8 Gbájt adat tárolására alkalmas modulok maximális sebessége 400 Mbps, azaz 50 MB/s, míg a manapság használatos lapkák jellemzően csak 40-133 Mbps-os tempóra képesek. A Samsung az új NAND chipeket okostelefonokba, táblagépekbe és SSD meghajtókba egyaránt ajánlja.

A vállalat arra is számít, hogy a nagyobb sebességű hardverek gyártása a gyorsabb interfészek irányába tereli az iparágat, így mind az USB 3.0 csatoló, mint a SATA 6 Gbit/s-os interfész terjedése felgyorsulhat.

A gyártástechnológia fejlődésével a flash chipek előállítása olcsóbbá válhat, a kisebb csíkszélességnek köszönhetően ugyanis a 64 Gbites modulok alapterülete csupán fele annak, mint amit egy 30 nm-es 32 Gbites modul igényel, míg a 20 nm-es 32 bites lapkákhoz képest csak 33%-os a helyigény növekedése. Az iSuppli előrejelzése alapján a flash chipek piaca a legyártott kapacitás alapján 2015-re a 2010-es szint kilencszeresére nőhet (évi 54%-os növekedést produkálva), a 64 Gbites chipek pedig már 2012-ben a teljes forgalom 70%-át teszik majd ki.