A Samsung elkészítette első függőlegesen egymásra építhető V-NAND flash memóriáját, amely új távlatokat nyithat a kapacitás növelésében. A flash memóriák tápkapacitásának (és bitsűrűségének) növekedésével ugyanis egyre inkább előfordulhatnak nemkívánatos cella interferenciák, amelyek adatvesztést okozhatnak. Az ilyen hibák kiküszöbölése érdekében a bitsűrűséget már nem lehet tovább növelni, így a nagyobb kapacitás eléréséhez csak a memória (fizikai) méretének növelése jöhet szóba. A chipek ára azonban azok felületével exponenciálisan arányos, így egy jóval nagyobb méretű chip gyártása adott esetben sokkal többe kerülhet, mint amennyi nyereséget a nagyobb kapacitás hoz; vagyis a gyártás gazdaságtalan lenne.
A Samsung mérnökeinek azonban sikerült egymásra helyezhető struktúrát kialakítani, így térben halmozott memóriák építhetők, melyek a 3D Charge Trap Flash elvre épülnek. A V-NAND ezt valósítja meg, amely a nagyobb kapacitáson túl nagyobb sebességet és jobb megbízhatóságot is hoz. Az akár kétszer gyorsabb írási sebességet kínáló V-NAND chipekből elsőként egy 128 gigabites (16 GB-os) változat készül. E méret még nem mutat jelentős előrelépést, ugyanakkor fontos jelezni, hogy a technológiában bőven van kihasználatlan potenciál, így hamarosan akár 3 terabites (375 GB-os) chip is előállítható 24 rétegű elrendezésben.
