A sors fintora, hogy a gyártók éppen a kevés memóriát használó mobil operációs rendszerek irányába fejlesztenek, pedig hamarosan kapható lesz egy olyan memóriatípus, amelyik ezt teljesen feleslegessé teszi. Azért persze nem baj, hogy így esett, viszont az RRAM (Resistive RAM, ami a memrisztor különleges változata) egy bélyegnagyságú áramkörben akár 1TB memóriakapacitást kínálhat. Ha igaz, amit az áramkör kifejlesztője, a Crossbar állít, az tényleg forradalmasítja majd a mobilos rendszereket. Nevével ellentétben (RRAM) az adattároló a tápfeszültség megszűnésekor is megőrzi a beleírt adatokat, tehát olyan, mint például a Flash.
Felépítése nagyon egyszerű, csupán három rétegből áll, amelynek egyike szigetelő, a másik vezető. Köztük egy könnyen előállítható amorf szilícium réteg viselkedik tárolóként, amely nagyon kis energiával írható és olvasható. Alacsony hőmérsékleten működik, ezért sok cella hozható létre már a ma rendelkezésre álló gyártósorokkal is, a tároló rétegeket pedig akár a vezérlőre, akár más tároló rétegekre is lehet integrálni. Különleges anyagokat, mint például grafén, nem igényel az előállítása.
Az egymásra halmozással (akár 24 ilyen réteg is készíthető) az adatsűrűség önmagában nő, de az RRAM cella a jelenlegi NAND (Flash) cellákkal szemben nem 1-3, hanem akár 10 állapotot is tud rögzíteni, ami még nagyobb adatmennyiség tárolására teszi alkalmassá. A mérések szerint az írási sebesség akár hússzor gyorsabb lehet, mint a NAND memóriáké (140 MB/s). A tároló fogyasztása huszada a jelenlegi memóriákénak, és az sem lényegtelen, hogy tízszer tartósabb azoknál. Az alapítók heteken belül megállapodnak majd az első gyártóval, az áttörés így akár igen gyors is lehet.
