Tranzisztor nanocsővel
A gyorsabb processzorok gyártásához kisebb integrált tranzisztorok szükségesek, de az eddig használt technológiával már elértünk egy olyan határhoz, amely tényleg akadályozta a fejlődést. Minél vékonyabb egy vezeték, annál nagyobb az ellenállása – ez pedig egy kapcsolóüzemű tranzisztor esetén hátrányt jelent. A szilícium elérkezett teljesítőképességének a határáig, így azt valamire le kell cserélni. Az IBM mérnökei kitalálták, hogy a szén nanocső miként viselkedhet a tranzisztorban félvezetőként, és hogyan lehet azt integrálni.
A „vég-kötésű érintkezési séma” kémiai kötést hoz létre a nanocső és a fém (szilícium) hordozó között. A kísérleti tranzisztor még elég nagy, de az eljárás jó eséllyel kisebb méretekben is megismételhető. A laborokban egyébként 3 atom vastag, illetve egy atomból álló tranzisztorokat is létrehoztak már, persze egy kis időnek még el kell telnie, mire ezek a felfedezések a hétköznapi termékekben is vissza fognak köszönni.
